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图为位于奥伯尼的纽约州议会大厦。美联社美国总统拜登政府今天宣布，将投资约8亿2500万美元在纽约州首府奥伯尼（Albany）打造半导体研发旗舰设施。 0 V2 i$ u" @/ c, W
路透社报导，美国商务部与美国国家半导体技术中心（National Semiconductor Technology Center）的营运商Natcast发布联合声明指出，纽约州这座设施有望推动极紫外光（EUV）技术创新。 # j3 l+ L& C$ g# |8 f
联邦官员选定奥伯尼纳米科技综合园区（Albany NanoTech Complex）为研究尖端半导体科技极紫外光曝光机的国家总部。 4 z1 X& \2 j0 g. Q+ O+ S
联邦参议院多数党领袖舒默（Chuck Schumer）表示，这座实验室将拥有全球最先进芯片制造设备，并允许半导体产业和大学的研究人员在这里展开合作。 ; V7 }- P! ?, g
舒默接受电话访问时说：「当你在这里进行高端研究，你可以制造出全球最先进芯片，除可确保我们的军队掌握优势，还能确保我们的经济与企业处于领先地位。」
* E& T% e: W& \; t. I这座隶属于国家半导体技术中心的极紫外光中心预计明年激活。 ( v- {" x" w2 X3 e! ^9 H
舒默指出：「这将使纽约州北部成为半导体研究中心，不只对美国，对全世界而言也是如此。」
6 o: G0 b& p+ I5 Q! z/ H商务部尚未宣布另外2座国家技术中心将落脚何处。 点击下面文字可快速查看或发布对应的便民信息！ 纽约情报站让您的生活变的更简单
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