SK海力士砸10亿美元发展先进封装 巩固HBM芯片领导地位
https://pgw.worldjournal.com/gw/photo.php?u=https://uc.udn.com.tw/photo/wj/realtime/2024/03/07/29139050.jpg&x=0&y=0&sw=0&sh=0&sl=W&fw=800&exp=3600&q=75SK海力士正大举支出投入先进芯片封装，要巩固在HBM芯片领导地位。 图为韩国产业部长Ahn Duk-geun访视SK海力士工厂产线。 （欧新社）南韩存储器大厂SK海力士正大举支出投入先进晶片封装，希望能抓住市场对高带宽记忆体（HBM）这种发展AI重要零组件兴旺的更多需求。彭博资讯报导，目前带领SK海力士封装研发的李康旭（Lee Kang-Wook，音译）表示，公司正在南韩投资逾10亿美元，扩展并改善其芯片制造的最后步骤。 这一部分的创新是HBM优势的核心，封装升级将是有助降低功耗、提升性能和维持SK海力士在HBM市场领导地位的关键。 HBM是当前最受欢迎的AI内存。
虽然SK海力士没有揭露今年的资本支出预算，但分析师平均预估该数字为14兆韩元（105亿美元），这代表投入先进封装的研发可能占了其中的10%，是一大优先项目。
李康旭在接受彭博资讯专访时表示：「半导体产业的头50年一直聚焦前端、或是设计与晶片制造本身，但下个50年，将聚焦后端，或是封装。」
55岁的李康旭协助为第三代HBM技术HBM2E创建创新的封装方式，另外两大内存厂也正迅速追赶。 此一创新是帮助SK海力士在2019年底赢得辉达成为客户的核心关键。点击下面文字可快速查看或发布对应的便民信息！纽约情报站让您的生活变的更简单
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